培育半導體專才 科技部111年打造產學合作
↑力挺科研，科技部基礎科研經費111年度成長14%。（圖／取自123RF）
因應後疫時代，為維持我國之國際競爭力，行政院日前宣布111年度政府科技預算將加大投入力道，尤其在基礎研究經費編列437億元，較110年度法定數成長11.3%，其中科技部將投入325億元，較110年度成長14%。除了基礎研究，針對臺灣重量級的半導體產業(yè)也力推新計畫，包括目前在推動的「A世代半導體計畫」、「半導體射月計畫」等專案計畫，以及111年再推的「次世代化合物半導體前瞻研發(fā)計畫」、「關鍵新興晶片設計研發(fā)計畫」。
當中，「次世代化合物半導體前瞻研發(fā)計畫」中，以研發(fā)次世代化合物半導體前瞻技術研發(fā)為目標，整合產學研團隊，發(fā)展化合物半導體功率相關應用關鍵技術與核心能量，藉以提升國內化合物半導體磊晶、製程及元件的技術層次，以及培育電動車、B5G/6G 等關鍵半導體技術未來所需研發(fā)人才。
而「A世代半導體－前瞻半導體及量子技術研發(fā)計畫」中，將推動下一個十年所需的前瞻元件與材料、先進製程檢測技術、量子元件次系統(tǒng)等技術的先期布局。以新穎低維半導體材料技術為基礎，發(fā)展關鍵元件技術，推動半導體產業(yè)下一個十年所需之前瞻元件與晶片技術，跟上國際量子電腦發(fā)展的腳步。
全力推動扶植產業(yè)同時，科技部也致力打造產學合作機制，透過彼此交流促升更多的研發(fā)能量。此外，為促進國家重點領域產學合作，「國家重點領域產學合作及人才培育創(chuàng)新條例」今年已三讀通過，包括陽明交通大學、清華大學 、成功大學和臺灣大學已申請增設半導體等相關高科技研究學院。
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